深圳技術(shù)大學(xué)和磁控濺射系統(tǒng)意向公開(kāi) 采購(gòu)單位: 深圳技術(shù)大學(xué) 項(xiàng)目名稱(chēng): 和磁控濺射系統(tǒng) 預(yù)算金額（元）: ,,. 采購(gòu)品目: 真空應(yīng)用設(shè)備 采購(gòu)需求概況: .采購(gòu)系統(tǒng)一套，主要參數(shù)如下：..襯底尺寸：≥*,≥片；..極限真空度：≤;恢復(fù)真空時(shí)間：大氣壓到.*≤ 分鐘；漏率：≤*？ ·/..長(zhǎng)期使用溫度范圍：-℃;溫度均勻性：≤±℃;.等離子體輝光穩(wěn)定時(shí)間：≤.;反射功率穩(wěn)定時(shí)間：≤...膜厚均勻性：玻璃襯底沉積厚度測(cè)定，薄膜，片內(nèi)≤% 、片間≤%、批間≤%,邊緣,點(diǎn)測(cè)試法評(píng)估；..鈍化效果：正常制絨硅片，雙面型非晶硅薄膜，少子壽命≥ ;.氣體種類(lèi)至少包含：硅烷、氫氣、硼烷、磷烷、氬氣、氮?dú)猓?穩(wěn)壓范圍：.-。.采購(gòu)磁控濺射系統(tǒng)一套，主要參數(shù)如下：.襯底尺寸：≥*,≥片；.濺射靶位：下單陰極靶位&;個(gè)，上單靶位&;個(gè)；.工藝腔極限真空：工藝腔極限真空：≤？;漏率：≤？ /.電源：電源個(gè)數(shù)≥個(gè)，電源功率≥;.靶基距至少-范圍內(nèi)可調(diào)；.成膜種類(lèi)至少包含：//(靶材)等.工藝氣體供氣至少包含：、、/等 聯(lián)系人: 項(xiàng)老師 聯(lián)系電話: - 預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間: - 備注: 無(wú) 本次公開(kāi)的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排,具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)